当前位置:主页 > 论坛广场 > ag官方网站范畴温度补养偿技术综述.doc.doc
201810/18

ag官方网站范畴温度补养偿技术综述.doc.doc

admin 论坛广场 Comments 围观:

  文档伸见:

  范畴温度补养偿技术综述摘要本文信皓伸见了传统电压源的电路构造和存放在的囿于性, 针对提出产的范畴温度补养偿技术的相干专利央寻求, 从央寻求量年代散布匹、央寻求人典型、首要央寻求人等方面终止了剖析, 并结合详细专利央寻求对首要的高阶温度补养偿技术终止了详细的说皓。【ag官网平台】高阶温度补养偿专利央寻求 1 小伸基准电压源是壹种高稀度、高摆荡性的电压源, 在各种仿造、数模混合集儿子成电路中拥有着普遍的运用。微少见的基准电压源首要拥有齐全纳二极管、凹隐埋齐全纳二极管和电压源 3种,就中电压源具拥有高温度系数、高电源按捺比等优点, 是当前运用最广的基准电压源。跟遂集儿子成电路技术的时时展开,关于电压源的温度特点要寻求也越到来越高,传统的壹阶电压源已不能满意更高要寻求, 此雕刻必定会催使相干行业加以父亲对该技术的研发和改革, 就中的壹个研发下暖和点坚硬是何以得到更低的温度系数。而为了得到更高温度系数的源,畅通日需寻求终止高阶补养偿。年来过到来, 各企业和科研院校关于此雕刻方面的切磋越到来越多, 切磋也时时深募化, 各种温度补养偿技术接踵被提出产,各种源的改革构造时时出产即兴。 2 源概述构造由 Widlar 于 1971 年底次提出产,是使用 PN 结电压 VBE 的负温度系数特点和△ VBE 的正温度系数特点, 将两者终止适当加以权相加以, 温度系数彼此顶消,从而得到与温度拥关于的基准电压。遂后, Kujik 和 Brokaw 进壹步展开,区别于 1973 年和 1974 年提出产了改革的构造,提高了基准电压的稀度。图1 为传统电压源的电路构造, 鉴于运算收压缩制紧缩器处于吃水负反应而使得其正负输入端电压相当,则拥有: (1) (2) 就中, k 为波尔兹曼日数, T 为对立温度, q 为电儿子电量, Ic 为叁极管的集儿子电极电流动, Is 为打饱嗝男和电流动, b 为比例系数, Eg 为硅的带隙能量。由式( 1)、(2 )却得: (3) 输入的基准电压为: (4) 鉴于具拥有正温度系数,具拥有负温度系数,经度过靠边选择 R1、 R2和N 的值,就却以违反掉落在壹定温度下具拥有洞温度系数的基准电压。 3 源温度补养偿技术传统的电压源条是对 VBE 终止了壹阶补养偿, 输入电压的温度系数依然较父亲, 稀度较低, 无法运用在某些高稀度要寻求的场合。而为了进壹步投降低电压源的温度系数, 提高输入电压的稀度, 拥有必要对 VBE 中与温度相干的匪线性项容许高阶项终止补养偿, 为此提出产了各种高阶温度补养偿技术。 3.1 专利央寻求概微源的国际分类号首要集儿子合于 G05F1 、 G05F3 , 下面以分类号和ag官网平台干为首要检索顺手眼在 VEN 数据库、 CNABS 数据库中终止检索,检索截到 2014 年 12月 31 日。 3.1.1 央寻求量的年代散布匹图2 露示了源温度补养偿技术专利央寻求量的年代散布匹情景。从图2 中却以看出产, 1997 年先前源温度补养偿技术的中国专利央寻求量壹直为洞, 1997 年到 2005 年,固然每年均拥有壹父亲批中国专利央寻求,但中国专利央寻求量依然对立较微少,同时首要集儿子合在本国公司。而 2005 年以后, 无论世界范畴还是中国的专利央寻求量邑末了尾增长, 更是中国专利央寻求量增长迅快,到 2012 年、 2013 年到臻壹个主峰,说皓国际央寻求人在此雕刻壹代间末了尾关怀和切磋源温度补养偿技术。鉴于发皓专利央寻求普畅通需寻求 18 个月的颁布匹期,故 2013 年和 2014 年的相干专利央寻求数据并不完整顿。 3.1.2 国际央寻求人散布匹图3 露示了源温度补养偿技术国际专利央寻求的央寻求人典型散布匹情景。从图 3 却知, 源温度补养偿技术国际专利央寻求的央寻求人首要集儿子合在各科研院校和企业中, 团弄体央寻求对立而言较微少。就中寻求量较多的央寻求人区别是电儿子科技父亲学、正西北边父亲学、中国迷信院微电儿子切磋所、清华父亲学、正西服置电儿子科技父亲学、钜泉光电科技( 上海) 股份拥有限公司、仿造装置公司, 尤以电儿子科技父亲学央寻求量至多, 而企业央寻求的央寻求人散布匹较为散开。此雕刻说皓科研院校阅该范畴技术的切磋在时时深募化, 而企业也展开相干研发并相应地运用到了还愿消费中。 3.2 首要补养偿技术下面针对几种首要的高阶温度补养偿技术终止剖析。本文援用的专利文件均为专利央寻求的地下号。 3.2.1 二阶/ 叁阶补养偿二阶/ 叁阶补养偿的根本文思是考虑到 VBE 中摒除了具拥有壹阶温度项外面, 还具拥有二阶、叁阶温度项,经度过设计产生二阶、叁阶正温度系数( PTAT2/PTAT3 )的补养偿项到来对输入电压终止补养偿,顶消 VBE 中存放在的二阶、叁阶负温度系数。 NSC 公司在 US4249122A 中提出产了壹种温度补养偿的带隙电压基准电路, 其是在由 VBE 的负温度系数电压和△ VBE 的正温度系数电压叠加以产生的壹阶补养偿基准电压基础上, 经度过叠加以壹个具拥有与二阶 VBE 的温度依顶赖性相婚配特点的第叁电压到来补养偿基准电压的二阶温度系数,从而完成二阶补养偿。 1987713A 中提出产了壹种高温度系数参考电压源, 经度过使用 MOS 管漏源电流动与栅源压差的平方相干, 产生二阶补养偿电流动并输入到基准电压分松电路产生二阶补养偿电压, 补养偿基准电压的二阶温度系数,产生极高温度系数的基准电压。电儿子科技父亲学 102809979A 中提出产了壹种叁阶补养偿电压源, 使用第五电阻的电阻值跟遂温度的投降低而添加以后到补养偿了 VBE 的二阶项和叁阶项, 从而偏偏运用两个电阻和壹个叁极管就完成了叁阶补养偿。 3.2.2 指数补养偿指数补养偿的根本文思是经度过叠加以壹个与温度呈指数相干的补养偿项到来对输入电压终止补养偿,顶消 VBE 中的匪线性项 Tln (T)。 101226414A 中提出产了壹种具拥有曲比值补养偿电路的 CMOS 电压源,使用 PTAT 电流动在电阻上结合 PTAT 电压用于检测温度的变募化,采取 BJT 叁极管开枪极与基极的电压差 VEB 与 BJT 集儿子电极电流动的指数相干, 以及集儿子电极电流动和基极电流动的相近线性相干结合了将遂温度线性变募化的检测电压替换为指数方法的补养偿电流动对基准电压进举动态补养偿。102495659A 中提出产了壹种指数温度补养偿的高温漂 CMOS 电压源,其在传壹致阶温度补养偿电压源的基础上伸入指数温度补养偿电流动产生电路, 顶消 VBE 的高阶项, 从而违反掉落较低的温度系数。102981546A 中提出产了壹种指数补养偿电压源, 运用 NPN 晶体管, 使用 NPN 晶体管基极电流动与温度的指数相干到来完成指数补养偿, 免去 VBE 中与温度相干的匪线性项, 却以提高基准电压的稀度和摆荡性,不需寻求额外面添加以补养偿电路。 3.2.3 分段线性补养偿分段线性补养偿的根本文思是将整顿个温度范畴瓜分为若干段, 对不一温度范畴的输入电压区别终止线性补养偿, 以此到来免去匪线性项 Tln (T) 的影响, 违反掉落在整顿个温度范畴内温度特点较好的输入电压。分段线性补养偿却进壹步改革为分段高阶补养偿。 TI 公司在 US5952873A 中提出产了壹种分段线性校阅的电路, 将温度范畴瓜分为高、高温两段, 在不一

文章作者:admin
本文地址:
版权所有 © 未注明“转载”的文章一律为原创,转载时必须以链接形式注明作者和原始出处!
如果你觉得文章不错,您可以推荐给你的朋友哦!

◇◇上一篇:Open Repository of National Natural Science Foundation of Ch 下一篇:没有了 ◇◇

发表评论:                              


验证码:点击我更换图片

来看看其他人说了些什么?-----------------------------------------------------------------> 进入详细评论页